[White]

Пожалуй, наиглавнейшим моментом в вопросе четкого функционирования компьютера является настройка параметров различных подсистем из BIOS Setup, мимо которой пройти просто невозможно. Основная система ввода/вывода (BIOS - Basic Input Output System) является своего рода "прослойкой" между аппаратной (комплектующие) и программной (операционная система) частями ПК. В ней содержится информация относительно установленных компонент и общих настроек всей системы. Однако большинство установок имеют свою специфику, определяя некоторые особенности и тонкости функционирования управляемых ими подсистем. Систему можно настроить на максимальную эффективность, установив соответствующие параметры на максимально возможные значения с точки зрения производительности, но при этом нет никакой гарантии, что компьютер будет работать надежно и без сбоев. С другой стороны, систему можно настроить на максимальную отказоустойчивость, "загрубив" при этом производительность. Каждая из этих крайностей имеет свои плюсы и минусы, поэтому обычно стремятся достичь "золотой середины", варьируя значения соответствующих пунктов настройки BIOS Setup. Таким образом, можно получить оптимально сбалансированные параметры и добиться максимально возможной производительности при обеспечении стабильного функционирования ПК. Основными моментами в данном вопросе являются установки параметров, предназначенных для конфигурирования системного ОЗУ (оперативной памяти): всевозможные задержки, специфические режимы работы, общие схемы функционирования и т.д. - все, что касается этого вопроса можно найти в разделе "Advanced Chipset Setup" (или "Chipset Features Setup") в BIOS Setup.

[White]

[highlight]DRAM Drive Strength[/highlight]

Параметр (еще известен как Buffer Drive Strength), управляющий распределением токовой нагрузки на выходные буферы сигнальных линий (программируемая нагрузка), путем изменения состояния соответствующего регистра управления, который содержит битовые поля с четко установленными значениями, контролируемыми через BIOS. Конечной целью является повышение быстродействия системы или стабильности функционирования подсистемы памяти и контролирования нагрузки на шине в случае нестабильной работы с большим количеством установленных модулей с максимальной нагрузкой на шину. Небуферизированные (Unbuffered) модули памяти SDRAM DIMM имеют конечную частоту функционирования, при которой сохраняется стабильность работы. Однако с увеличением количества микросхем в составе модуля увеличивается емкостная нагрузка на шину памяти. Это обстоятельство требует большей силы тока, чтобы поддерживать определенный уровень сигнала, поскольку типичная сигнальная линия представляется (довольно упрощенно) как RC-цепь, где при фиксированном значении сопротивления емкость является сдерживающим фактором. Таким образом, получается, что лучшей производительности и стабильности можно достигнуть меньшим количеством установленных модулей памяти - иными словами, меньшей емкостной нагрузкой на шину. С другой же стороны, это означает использование модулей с микросхемами памяти большой емкости и организации (для уменьшения нагрузки на сигнальную линию), что поддерживается далеко не всеми базовыми логиками - большинство чипсетов имеют ограничение в 16 микросхем на полную физическую строку (два физических банка). Например, модули памяти с применением микросхем-регистров (Register) и микросхем фазовой автоподстройки частоты (ФАПЧ, PLL) - Registered DIMM - с позиции рассматриваемого вопроса позволяют использовать до 36 микросхем памяти на полную строку, при этом "скрывая" реальную нагрузку на сигнальные линии, сохраняя ее значение на уровне максимально нагруженного небуферизируемого "двустрочника". Если данный параметр рассматривать с позиции физических терминов, то все базируется на емкостной нагрузке, фронтах импульсов и согласовании по полному сопротивлению (Zo). В результате небольших преобразований получаем зависимость полного сопротивления на заданной частоте от емкости нагрузки: Zo=U/I=1/(C*f). Поскольку полное сопротивление зависит от напряжения и тока сигнала в цепи, данной установкой BIOS можно регулировать Zo, изменяя значения U и I, оптимизируя емкостную нагрузку на сигнальную линию шины. Если увеличивать одновременно напряжение и ток, поддерживая постоянное значение сопротивления, то, понятно, увеличится и мощность, рассеиваемая в цепи. С другой стороны, если сохранять постоянным уровень напряжения, увеличивая ток в цепи, можно увеличивать полное сопротивление. Основной целью же является согласование сопротивления источника с собственным сопротивлением сигнальной линии и сопротивлением нагрузки (согласование сопротивлений). Это позволяет минимизировать отражения сигнала и перекос (идеализировать форму и длительность фронта) между активными уровнями - по-другому, улучшить целостность сигнала. Понижением уровня сигнала (для SDRAM стандартно 3.3V), уменьшается запас помехоустойчивости (Noise Margin) для высокого и низкого логических уровней. Тем не менее, наиважнейшим контролирующим фактором импеданса (полного сопротивления, Zo) является именно ток. Изменяя значение силы тока при постоянном уровне напряжения сигнала, можно контролировать полное сопротивление, а значит - управлять нагрузкой на конкретную сигнальную линию. Впервые управление токовой нагрузкой встречается в логических наборах серии Triton от Intel - i82430HX и i82430TX. Управляющий регистр DRAMEC (DRAM Extended Control Register), содержащийся в северном мосту этих наборов, отвечает за уровень сигнала адресных линий (MAD - Memory Address Drive Strength). Иными словами, этот 2bit регистр DDECR[2:1] программирует токовую нагрузку на выходные буферы линий адресации MAA[1:0]/MAB[1:0] и MA[11:2]/MWE# по значениям 8/12 mA для моста FW82439HX (базовый набор i82430HX) и 10/16 mA - для FW82439ТX (логика i82430TX). В некоторых базовых наборах от VIA (например, КТ133) ввели персональный расширенный 8bit регистр, который позволяет программировать выходные буфера не только адресных линий, но и других по значениям 12/24 mA. Изменяя значения силы тока по линиям данных (Memory Data Drive), команд (SDRAM Command Drive), адреса (Memory Address Drive) и стробов (CAS# Drive и RAS# Drive) можно добиться повышения скорости или стабильности функционирования подсистемы памяти.