[White]

Пожалуй, наиглавнейшим моментом в вопросе четкого функционирования компьютера является настройка параметров различных подсистем из BIOS Setup, мимо которой пройти просто невозможно. Основная система ввода/вывода (BIOS - Basic Input Output System) является своего рода "прослойкой" между аппаратной (комплектующие) и программной (операционная система) частями ПК. В ней содержится информация относительно установленных компонент и общих настроек всей системы. Однако большинство установок имеют свою специфику, определяя некоторые особенности и тонкости функционирования управляемых ими подсистем. Систему можно настроить на максимальную эффективность, установив соответствующие параметры на максимально возможные значения с точки зрения производительности, но при этом нет никакой гарантии, что компьютер будет работать надежно и без сбоев. С другой стороны, систему можно настроить на максимальную отказоустойчивость, "загрубив" при этом производительность. Каждая из этих крайностей имеет свои плюсы и минусы, поэтому обычно стремятся достичь "золотой середины", варьируя значения соответствующих пунктов настройки BIOS Setup. Таким образом, можно получить оптимально сбалансированные параметры и добиться максимально возможной производительности при обеспечении стабильного функционирования ПК. Основными моментами в данном вопросе являются установки параметров, предназначенных для конфигурирования системного ОЗУ (оперативной памяти): всевозможные задержки, специфические режимы работы, общие схемы функционирования и т.д. - все, что касается этого вопроса можно найти в разделе "Advanced Chipset Setup" (или "Chipset Features Setup") в BIOS Setup.

[White]

[highlight]DRAM Command Rate[/highlight]

Параметр, устанавливающий задержку поступления команд в память (CMD Rate). Контроллеры памяти DDR-интерфейса различных базовых логик (например, VIA Apollo Pro266 и KT266), как правило, имеют две разные программируемые задержки команд для адаптации режима работы с разным типом используемой памяти - 1T или 2T. В стандартном режиме работы задержка составляет 2 цикла, что означает, что команда запирается в микросхеме по второму приходящему фронту строба после отработки команды выбора кристалла (CS#). После этого отрабатываются команды активизации банка, чтения и перезаряда в отведенный им фиксированный интервал времени. Рассматриваемая дополнительная задержка применяется исключительно в случае выполнения первоначального доступа (Initial Access, также именуемый произвольным доступом), принимая во внимание то, что все подпоследовательные команды выставлены в очередь в соответствии с установленными в BIOS задержками. Поэтому задержка поступления команды дает эффект только при произвольных доступах. Как было указано выше, при произвольном доступе команда активизации банка запирается по второму фронту синхросигнала - именно такой механизм применяется в модулях памяти с применением микросхем-регистров - Registered DIMM, - которые уменьшают нагрузку на систему синхронизации и играют роль транзитных буферов, где происходит перераспределение адресов. Также регистры применяются для трансляции команд и их последующей передачи в микросхему памяти с задержкой в 1 такт. Тем не менее, ранее упоминавшаяся задержка 2T уже включает этот дополнительный цикл ожидания и контроллер памяти, обслуживающий Registered DIMM, не выполняет никаких фаз дополнительно вводимой задержки. Для небуферизированных модулей памяти (Unbuffered DIMM) контроллер снимет дополнительный такт задержки, уменьшив общую до 1 цикла, что говорит о запирании команды по следом идущему фронту тактового сигнала и экономии одного такта при каждом начальном доступе к памяти. В свою очередь, это увеличивает реальную пропускную способность в зависимости от того, насколько загружена шина памяти и сколько случайных доступов выполнено. Сама способность обработки команд с задержкой 1T зависит от таких факторов, как частота синхронизации шины памяти, количество микросхем на модуле памяти (чем больше микросхем, тем больше времени понадобится контроллеру, чтобы выбрать необходимую), качество используемого модуля, общее количество используемых модулей памяти в системе (прямо связано с количеством микросхем в составе одного модуля) и удаленность модуля от контроллера (протяженность сигнальных трасс от выводов контроллера до выводов микросхемы памяти с учетом количества переходов).