[White]

Пожалуй, наиглавнейшим моментом в вопросе четкого функционирования компьютера является настройка параметров различных подсистем из BIOS Setup, мимо которой пройти просто невозможно. Основная система ввода/вывода (BIOS - Basic Input Output System) является своего рода "прослойкой" между аппаратной (комплектующие) и программной (операционная система) частями ПК. В ней содержится информация относительно установленных компонент и общих настроек всей системы. Однако большинство установок имеют свою специфику, определяя некоторые особенности и тонкости функционирования управляемых ими подсистем. Систему можно настроить на максимальную эффективность, установив соответствующие параметры на максимально возможные значения с точки зрения производительности, но при этом нет никакой гарантии, что компьютер будет работать надежно и без сбоев. С другой стороны, систему можно настроить на максимальную отказоустойчивость, "загрубив" при этом производительность. Каждая из этих крайностей имеет свои плюсы и минусы, поэтому обычно стремятся достичь "золотой середины", варьируя значения соответствующих пунктов настройки BIOS Setup. Таким образом, можно получить оптимально сбалансированные параметры и добиться максимально возможной производительности при обеспечении стабильного функционирования ПК. Основными моментами в данном вопросе являются установки параметров, предназначенных для конфигурирования системного ОЗУ (оперативной памяти): всевозможные задержки, специфические режимы работы, общие схемы функционирования и т.д. - все, что касается этого вопроса можно найти в разделе "Advanced Chipset Setup" (или "Chipset Features Setup") в BIOS Setup.

[White]

[highlight]SDRAM Cycle Time Tras/Trc[/highlight]

Параметр микросхемы SDRAM, определяющий отношение интервала, в течение которого строка открыта для переноса данных (tRAS - RAS# Active time), к периоду, в течение которого завершается полный цикл открытия и обновления ряда (tRC - Row Cycle time), также называемого циклом банка (Bank Cycle Time). По умолчанию устанавливается значение 6/8 - более медленное, но более стабильное, чем 5/6. Однако, 5/6 быстрее сменяет циклы в SDRAM, но может не оставлять строки (ряды) открытыми на период времени, достаточный для полного завершения транзакции, что особенно справедливо для SDRAM с частотой синхронизации более 100MHz. Следовательно, для начала рекомендуется попробовать установить 5/6 в целях увеличения производительности SDRAM, но, если система становится нестабильной, следует изменить на 6/8. Также данный параметр можно встретить в виде [tRAS, tRC]. Например, для некоторых базовых логик данные установки могут иметь следующие значения: для серии i82815xx - [5T, 7T] или [7T, 9T], для серий наборов VIA - [5T, 7-8T] или [6T, 8-9T], и для ALi MAGiK1 - [3-10T, 4-15T]. Цикл банка определяет количество тактов, необходимых после выставления команды активизации банка до начала фазы перезаряда. Другими словами, после открытия страницы ее необходимо поддерживать в открытом состоянии некоторый промежуток времени до того как она снова закроется. Параметр tRC определяет минимальное количество тактов до тех пор, пока банк реактивируется. Поскольку фаза перезарядки имеет задержку 2-3 такта, то полный цикл банка является суммой времени активности сигнала RAS# и интервала подзаряда линии RAS#: tRС=tRAS+tRP, где tRAS=CL+tRCD определяется как задержка отклика (Latency), характеризующая промежуток времени между регистрацией полученной команды и моментом начала передачи ассоциируемых с командой данных. Таким образом, tRС характеризует общее количество циклов, входящих в основную тайминговую схему CL-tRCD-tRP. Так, серия i82815xx поддерживает схемы [5T, 7T] или [7T, 9T], откуда видно, что период подзаряда фиксирован и составляет два цикла шины (2T). Серия базовых логик от VIA определяет интервал tRAS по значениям 5T и 6T, что говорит о плавающем значении tRP в 2 или 3 такта соответственно, однако они не прямо доступны, а являются частью "микса" установок. Текущие микросхемы SDRAM имеют продолжительность цикла ядра 50-60 ns. С другой стороны, это означает, что теоретически микросхема, синхронизирующаяся на частоте 133MHz (7.5ns период), имеет значение tRC=7T, откуда можно определить текущий цикл ядра: 7х7.5ns=52ns. Если частоту синхронизации увеличить, количество циклов, соответственно, тоже увеличится, чтобы укладываться в 50ns окно. Проведя расчет, можно отметить теоретический предел частоты синхронизации SRDAM в 183MHz при текущих параметрах (9T), что означает 49.2ns цикл ядра. Интересной особенностью является то, что в ранних ревизиях i82815 серии схема выглядела как [5T, 7T] или [6T, 8T], что определяет предел частоты синхронизации в районе 166MHz. Для 100MHz синхросигнала, с целью получения максимально возможной производительности, цикл банка необходимо установить как 5/7, а для 133MHz шины, как 5/8 или 6/8 - в зависимости от того, насколько сильно требуется "разогнать" интерфейс. В связи с этим, наиглавнейшим вопросом считается определение минимально возможного интервала активности сигнала RAS# и что повлечет за собой выход за пределы его допустимых значений (tRAS Violation). После того, как сигнал RAS# активизировал банк, данные запираются в усилителях уровня. Например, имеется две линии, идущие параллельно, из которых одна сигнальная, а другая - связанная. Эта схема работает по принципу чередования, где каждая линия может быть и сигнальной, и опорной. Усилители уровня дифференцируют напряжение между заряженной линией данных и опорной линией, и усиливают относительно слабый сигнал - это необходимо делать, чтобы восстанавливать данные в ячейке. Линии данных имеют четко определенную емкость, которая уменьшается с увеличением заряда. Если фаза перезаряда (стирание всей информации со строки данных для активизации следующего банка - строчный доступ) начинает выполняться до момента, пока уровень сигнала не стабилизировался достаточно для возможности восстановления первоначального содержимого страницы, четко определенная длительность активности сигнала RAS# нарушается (tRAS Violation), результатом чего является полная потеря данных или в лучшем случае неверное их восстановление. Другими словами, tRAS - это время, необходимое для накопления полного заряда линии и восстановления данных до начала цикла следующего передзаряда. В свою очередь, перезаряд является командой, закрывающей страницу или банк, поэтому tRAS также характеризуется как минимальное время открытия страницы. Если к этому добавить еще и длительность цикла перезаряда, то в результате получится общее количество тактов, необходимое для открытия и закрытия банка, именуемое циклом банка - то, о чем велась речь ранее.