Здравствуйте, гость ( Вход | Регистрация )
|
![]() |
Прежде чем задать вопрос, убедитесь, что его еще не задавали и ответ на него уже не дали. Проверьте Раздел Новости Воспользуйтесь расширенным Поиском, к нему прилагается помощь на русском языке по методам поиска. Также не забываем про общие ПРАВИЛА форумов. Уважайте друг друга и не создавайте тем-близнецов.
![]() |
![]() |
| ![]() |
![]()
Сообщение
#1
|
|
Ст.лейтенант ![]() Группа: Validating Сообщений: 1511 Регистрация: 1.1.2006 Из: Руси Пол: ![]() Сегмент: 14 ![]() |
Пожалуй, наиглавнейшим моментом в вопросе четкого функционирования компьютера является настройка параметров различных подсистем из BIOS Setup, мимо которой пройти просто невозможно. Основная система ввода/вывода (BIOS - Basic Input Output System) является своего рода "прослойкой" между аппаратной (комплектующие) и программной (операционная система) частями ПК. В ней содержится информация относительно установленных компонент и общих настроек всей системы. Однако большинство установок имеют свою специфику, определяя некоторые особенности и тонкости функционирования управляемых ими подсистем. Систему можно настроить на максимальную эффективность, установив соответствующие параметры на максимально возможные значения с точки зрения производительности, но при этом нет никакой гарантии, что компьютер будет работать надежно и без сбоев. С другой стороны, систему можно настроить на максимальную отказоустойчивость, "загрубив" при этом производительность. Каждая из этих крайностей имеет свои плюсы и минусы, поэтому обычно стремятся достичь "золотой середины", варьируя значения соответствующих пунктов настройки BIOS Setup. Таким образом, можно получить оптимально сбалансированные параметры и добиться максимально возможной производительности при обеспечении стабильного функционирования ПК. Основными моментами в данном вопросе являются установки параметров, предназначенных для конфигурирования системного ОЗУ (оперативной памяти): всевозможные задержки, специфические режимы работы, общие схемы функционирования и т.д. - все, что касается этого вопроса можно найти в разделе "Advanced Chipset Setup" (или "Chipset Features Setup") в BIOS Setup.
|
|
![]() |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]()
Сообщение
#2
|
|
Ст.лейтенант ![]() Группа: Validating Сообщений: 1511 Регистрация: 1.1.2006 Из: Руси Пол: ![]() Сегмент: 14 ![]() |
[highlight]SDRAM RAS Precharge Time[/highlight]
Длительность подзаряда линии RAS# - tRP. В данном случае микросхема DRAM с двумя/четырьмя банками (логическая организация) позволяет "скрыть" это время, чтобы обеспечить непрерывный ввод/вывод данных: в то время, когда происходит какая-либо операция с одним банком памяти, другой успевает регенерировать (обновить данные). Проще говоря, данный параметр позволяет определять быстрое (Fast) или медленное (Slow) накопление заряда по линии RAS# до начала цикла регенерации. Установка значения Fast увеличивает быстродействие, однако может привести к нестабильности работы. Slow же действует наоборот - повышает стабильность работы компьютера, однако увеличивает время, затрачиваемое на цикл регенерации данных. Поэтому рекомендуемое значение Fast следует устанавливать в случае уверенности в качестве микросхем памяти. Обычно встречаемые значения 2 и 3 данного пункта определяют количество тактов системной шины, необходимых для накопления заряда по линии RAS#. Вообще, задержка, обуславливаемая выполнением предзаряда линии RAS#, необходима для перемещения данных обратно в массив (закрытие банка/страницы) до момента прихода команды активизации следующего банка. Так, 30-60 % от общего количества передаваемых запросов на чтение теряется в пределах одной страницы (Page), стандартно называемая строкой логического банка), что получило название попадания в страницу (Page Hit). Поэтому в данном случае нет необходимости активизировать банк, так как данные уже н#ходятся в странице, и все, что требуется - это изменить адрес столбца посредством выдачи сигнала CAS#. Если запрашиваемые данные не найдены в пределах данной страницы, их необходимо вернуть обратно в массив и закрыть банк. Если запрашиваемые данные существуют в одном и том же банке, но в разных строках, необходимо подать команду перезаряда, чтобы банк закрылся (промежуток, составляющий длительность подзаряда), а новая команда активизации банка откроет правильную строку (задержка tRCD), где размещаются необходимые данные. Позднее, через промежуток CL, команда чтения придет по правильно выбранному адресу. В результате количество циклов общей задержки (схема CL-tRCD-tRP), описываемое как 2-2-2, составляет 6 тактов, а схема 3-3-3 увеличивает ее до 9. Если запрашиваемые данные расположены в разных строках, нет необходимости тратить время на ожидание закрытия первого банка, поэтому задержка tRP в данном случае не учитывается. Следовательно, остается только задержка выдачи сигнала CAS# и интервал RAS#-CAS#. Вообще, данная схема немного упрощена, поскольку если данные н#ходятся в одном банке, но в разных строках, то банк необходимо не просто закрыть, а еще и реактивировать. Поэтому каждый банк имеет очень малое время, в течение которого он остается открытым, и длительность цикла tRC становится довольно критическим фактором. |
|
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() ![]() |
![]() |
Текстовая версия | Сейчас: 9.7.2025, 1:38 |