[White]

Пожалуй, наиглавнейшим моментом в вопросе четкого функционирования компьютера является настройка параметров различных подсистем из BIOS Setup, мимо которой пройти просто невозможно. Основная система ввода/вывода (BIOS - Basic Input Output System) является своего рода "прослойкой" между аппаратной (комплектующие) и программной (операционная система) частями ПК. В ней содержится информация относительно установленных компонент и общих настроек всей системы. Однако большинство установок имеют свою специфику, определяя некоторые особенности и тонкости функционирования управляемых ими подсистем. Систему можно настроить на максимальную эффективность, установив соответствующие параметры на максимально возможные значения с точки зрения производительности, но при этом нет никакой гарантии, что компьютер будет работать надежно и без сбоев. С другой стороны, систему можно настроить на максимальную отказоустойчивость, "загрубив" при этом производительность. Каждая из этих крайностей имеет свои плюсы и минусы, поэтому обычно стремятся достичь "золотой середины", варьируя значения соответствующих пунктов настройки BIOS Setup. Таким образом, можно получить оптимально сбалансированные параметры и добиться максимально возможной производительности при обеспечении стабильного функционирования ПК. Основными моментами в данном вопросе являются установки параметров, предназначенных для конфигурирования системного ОЗУ (оперативной памяти): всевозможные задержки, специфические режимы работы, общие схемы функционирования и т.д. - все, что касается этого вопроса можно найти в разделе "Advanced Chipset Setup" (или "Chipset Features Setup") в BIOS Setup.

[White]

[highlight]SDRAM RAS-to-CAS Delay[/highlight]

Аналогичного рода параметр (Fast RAS-to-CAS Delay), определяемый как tRCD, описывался ранее, и в данном случае может принимать значения 2 или 3, устанавливая двух- и трехтактную задержку от начала передачи команды активизации конкретного логического банка до момента приема команды чтения/записи по приходу фронта CAS# (переход в активный низкий уровень). Другими словами, после подачи команды активизации банка линию RAS# необходимо предварительно зарядить (выполнить цикл накопления заряда, Precharge) до момента поступления команды чтения (определяемой адресом столбца). Это означает, что данные передаются из массива памяти на внутрикристальные выходные усилители уровня с задержкой 2 или 3 цикла. Необходимо понимать, что рассматриваемая задержка сама по себе играет довольно незначительную роль в общей задержке при условии попадания в страницу и/или чтения данных из открытой страницы. Тем не менее, далеко не в каждом BIOS можно варьировать значение данной задержки по причине отсутствия соответствующего параметра, однако в действительности tRCD учитывается также в значении "Bank X/Y Timing".